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晶合集成:背照式圖像傳感器半導體結構專利,可改善襯底與膜層表面的氣泡缺陷

發布時間:2023-12-05 14:18:53 人氣:

2023年12月4日金融界消息,據國家知識產權局公告,合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“一種背照式圖像傳感器的半導體結構及其制作方法“,公開號CN117153855A,申請日期為2023年10月。

專利摘要顯示,本發明公開了一種背照式圖像傳感器的半導體結構及其制作方法,屬于半導體技術領域。所述背照式圖像傳感器的半導體結構包括:襯底;多個深溝槽,設置在所述襯底內;內襯氧化層,設置在所述深溝槽的側壁和底部以及所述襯底上;高介電介質層,設置在所述內襯氧化層上;第一氧化層,設置在所述高介電介質層上,所述第一氧化層填充至所述深溝槽的頂部,且所述第一氧化層在所述深溝槽內形成空氣間隙,所述空氣間隙的頂部低于所述深溝槽的頂部;第二氧化層,形成在所述第一氧化層上,所述第一氧化層和所述第二氧化層結合后壓力類型為壓應力。通過本發明提供的一種背照式圖像傳感器的半導體結構及其制作方法,可以改善襯底與膜層表面的氣泡缺陷。

標簽: 傳感器新聞

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